Закончи уравнение химической реакции взаимодействия водорода с графитом

При взаимодействии с водородом графен превращается в графан

Хотя графит известен как одно из самых инертных химических веществ, группе ученых из Англии, Голландии и России удалось добиться химической реакции единичного атомного слоя графита — графена — с водородом. В результате образуется совершенно новое вещество — графан, которое при очень низких температурах ведет себя как изолятор. Наблюдения с помощью просвечивающего электронного микроскопа показывают, что графан тоже обладает двумерной гексагональной кристаллической структурой, но с более коротким шагом решетки, чем у графена.

О плоском монослое атомов углерода, плотно упакованных в гексагональную кристаллическую решетку, или, проще говоря, графене, написано столько, что кажется, что чем-то новым никого уже не удивишь. Но, как оказалось, возможно. «Графенную экзотику» еще можно получить на стыке физики и химии. Если химическое взаимодействие структурного «родственника» графена, углеродной нанотрубки, с другими элементами изучено уже довольно хорошо, о химических реакциях с участием самого графена почти ничего не известно.

Группе ученых из Англии, России и Голландии путем гидрирования (взаимодействия с водородом) удалось превратить графен в новое вещество — графан. Об этом сообщается в статье Control of Graphene’s Properties by Reversible Hydrogenation: Evidence for Graphane, опубликованной в одном из последних выпусков журнала Science. Что интересно, в число авторов работы входят Эндрю Гейм и Костя Новосёлов — ученые, первыми получившие графен.

Впервые термин «графан» появился в 2006 году — в статье американских физиков-теоретиков Graphane: a two-dimensional hydrocarbon, опубликованной в архиве препринтов, а затем в журнале Physical Review B. В этой работе теоретически показано, что в результате взаимодействия графена с атомарным водородом может образоваться новое вещество с химической формулой CH — это вещество и было названо графаном. Кристаллическая структура графана, так же как и графена, — двумерная гексагональная. При этом атомы водорода присоединяются по обе стороны от плоскости атомов углерода. Кроме этого, авторы статьи дополнительно рассчитали зонную структуру нового материала, предсказали, что графан должен быть полупроводником, а также обсудили вероятные способы получения нового вещества и его возможное применение в электронике. И вот теперь настало время практической реализации предсказанного материала, а заодно и проверки расчетов теоретиков.

Как же был получен графан? Исходный материал — кристаллы графена — был приготовлен традиционным образом — микромеханическим отшелушиванием слоев графита, находящегося на подложке из оксида кремния (толщина подложки составляла 300 нм). В том, что получен именно единичный слой атомов углерода, исследователи убеждались оптическими методами и с помощью рамановской спектроскопии. Далее полученный графен отжигался при температуре 300°C в атмосфере аргона в течение 4 часов. (Эта процедура необходима для избавления кристаллов исходного материала от возможных примесей и загрязнений.) Затем образцы графена подвергались воздействию так называемой «direct-current» плазмы — смеси аргона и молекулярного водорода (доля Н₂ составляла 10%), находящейся при низком давлении — около 0,1 миллибара (1 миллибар = 100 Па). «Direct-current» плазма создавалась с помощью разряда между алюминиевыми электродами (отсюда ее название). Чтобы избежать возможного повреждения ионами, образующимися в плазме в результате облучения, графенные плоскости располагались на расстоянии 30 см от зоны разряда. После того как образцы два часа находились в плазме, и получался графан. На рис. 1 приведено сравнение кристаллической структуры графена (A) и графана (B).

Чтобы удостовериться в том, что получено действительно новое вещество, ученые повторили описанные выше манипуляции с графеном, но уже без 10-процентной примеси водорода в плазме, и с помощью рамановской спектроскопии убедились, что никаких трансформаций графена в другое вещество не происходило.

Проведенные резистивные измерения подтверждают теоретические предсказания полупроводниковых свойств графана. График на рис. 2 показывает температурную зависимость сопротивления нового материала (голубые квадраты). Как видим, с ростом температуры T сопротивление ρ уменьшается, как и у полупроводников. При переходе от температуры 300 К к температуре жидкого гелия (около 4 К) графан проявляет изолирующие свойства: его сопротивление вырастает на два порядка, а подвижность зарядов по сравнению с графеном падает более чем в 1000 раз. Собственно, зависимость ρ(T) хорошо приближается функцией , где T₀ — некоторая температура, равная приблизительно 250 К.

Любопытно, что реакция гидрирования графена является обратимой, и графан можно снова превратить в графен с помощью отжига при температуре 450°C в течение 24 часов. Свойства такого отожженного графена практически не изменяются: его сопротивление опять слабо зависит от температуры и подвижность зарядов возвращается почти на прежний уровень.

Источник: D. C. Elias, R. R. Nair, T. M. G. Mohiuddin, S. V. Morozov, P. Blake, M. P. Halsall, A. C. Ferrari, D. W. Boukhvalov, M. I. Katsnelson, A. K. Geim, K. S. Novoselov. Control of Graphene’s Properties by Reversible Hydrogenation: Evidence for Graphane // Science. 2009. V. 323. P. 610–613.

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ВОДОРОДА С ГРАФИТОМ В ПРОТОЧНОЙ ЧАСТИ ТЕПЛОВОГО АККУМУЛЯТОРА СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГОДВИГАТЕЛЬНОЙ УСТАНОВКИ Текст научной статьи по специальности « Химические науки»

Аннотация научной статьи по химическим наукам, автор научной работы — Каревский Андрей Владимирович

Рассмотрена кинетика процессов взаимодействия водорода с графитом в проточной части теплового аккумулятора солнечной энергодвигательной установки. Показано, что в условиях работы теплового аккумулятора процесс взаимодействия графита с водородом находится в кинетической области, то есть унос графита лимитируется химическими реакциями, протекающими на поверхности графита, и не зависит от процессов диффузии. В этом случае скорость графита определяется только температурой и не зависит от давления водорода. Для кинетической области определены параметры процесса взаимодействия водорода с графитом (энергия активации и предэкспоненциальный множитель) и получена теоретическая зависимость скорости уноса графита водородом от температуры.

Похожие темы научных работ по химическим наукам , автор научной работы — Каревский Андрей Владимирович

The interaction of hydrogen with graphite in the flow section of the thermal accumulator of solar

The kinetics of the processes of the interaction of hydrogen with graphite in the flow section of the thermal accumulator of solar powered propulsion system is considered. It has been shown that in the working condition of thermal accumulator the processes of the interaction of hydrogen with graphite are in the kinetic region, i.e. the graphite ablation is limited by the chemical reactions on the graphite surface and is not depended from the diffusion. In this case, the rate of graphite ablation is determined only by temperature and not depended from pressure. For kinetic region the parameters of the processes of the interaction of hydrogen with graphite (activation energy and pre-exponential factor) has been determined and theoretical dependence of the rate of graphite ablation with hydrogen as function of temperature has been obtained.

Текст научной работы на тему «ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ВОДОРОДА С ГРАФИТОМ В ПРОТОЧНОЙ ЧАСТИ ТЕПЛОВОГО АККУМУЛЯТОРА СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГОДВИГАТЕЛЬНОЙ УСТАНОВКИ»

МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ СОЛНЕЧНО-ВОДОРОДНОЙ ЭНЕРГЕТИКИ

MATERIALS FOR SOLAR-HYDROGEN ENERGY

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ВОДОРОДА С ГРАФИТОМ В ПРОТОЧНОЙ ЧАСТИ ТЕПЛОВОГО АККУМУЛЯТОРА СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГОДВИГАТЕЛЬНОЙ УСТАНОВКИ

ФГУП «Центр Келдыша», ул. Онежская, д. 8, Москва, 125438, Россия тел. (495) 456-96-97, факс (495) 456-82-28, e-mail: kerc@elnet.msk.ru

Рассмотрена кинетика процессов взаимодействия водорода с графитом в проточной части теплового аккумулятора солнечной энергодвигательной установки. Показано, что в условиях работы теплового аккумулятора процесс взаимодействия графита с водородом находится в кинетической области, то есть унос графита лимитируется химическими реакциями, протекающими на поверхности графита, и не зависит от процессов диффузии. В этом случае скорость графита определяется только температурой и не зависит от давления водорода. Для кинетической области определены параметры процесса взаимодействия водорода с графитом (энергия активации и предэкспоненциальный множитель) и получена теоретическая зависимость скорости уноса графита водородом от температуры.

THE INTERACTION OF HYDROGEN WITH GRAPHITE IN THE FLOW SECTION OF THE THERMAL ACCUMULATOR OF SOLAR

Federal State Unitary Enterprise «Keldysh Research Center», Moscow, Onezhskaya str., 8, tel. (495) 456-96-97, fax (495) 456-82-28, e-mail: kerc@elnet.msk.ru

The kinetics of the processes of the interaction of hydrogen with graphite in the flow section of the thermal accumulator of solar powered propulsion system is considered. It has been shown that in the working condition of thermal accumulator the processes of the interaction of hydrogen with graphite are in the kinetic region, i.e. the graphite ablation is limited by the chemical reactions on the graphite surface and is not depended from the diffusion. In this case, the rate of graphite ablation is determined only by temperature and not depended from pressure. For kinetic region the parameters of the processes of the interaction of hydrogen with graphite (activation energy and pre-exponential factor) has been determined and theoretical dependence of the rate of graphite ablation with hydrogen as function of temperature has been obtained.

Место работы: начальник сектора Федерального государственного унитарного предприятия «Исследовательский центр им. М.В. Келдыша» (ФГУП «Центр Келдыша»), Москва.

Образование: факультет «Ракетные двигатели» Московского государственного технического университета им. Н.Э. Баумана.

Награды: медаль им. М.В. Келдыша Федерального космического агентства. Круг научных интересов: космическая энергетика, перспективные двигательные установки. Публикации: 8 статей, 1 патент.

Андрей Владимирович Каревский

Значительное расширение возможностей носителей по доставке космических аппаратов на геостационарную и другие высокие орбиты может быть обеспечено за счет использования в составе средств межорбитальной транспортировки (транспортных модулях, разгонных блоках и т.д.) солнечных энергодвигательных установок (СЭДУ). В таких установках солнечная энергия используется для подогрева рабочего тела перед подачей его в камеру сгорания двигателя.

В ФГУП «Центр Келдыша» разработана концепция электронагревной СЭДУ с многорежимным кислород-водородным ракетным двигателем и с тепловым аккумулятором-теплообменником [1]. В такой СЭДУ энергия солнечного излучения вначале преобразуется с помощью солнечных батарей в электрическую. Далее электрическая энергия используется для питания электронагревателя, встроенного в тепловой аккумулятор (ТА). В тепловом аккумуляторе осуществляется периодическое накопление и передача накопленной тепловой энергии рабочему телу — водороду — перед подачей его в камеру сгорания двигате-

ля СЭДУ. Дополнительный нагрев водорода в ТА обеспечивает повышенный удельный импульс тяги СЭДУ по сравнению с существующими и перспективными жидкостными ракетными двигателями традиционных схем, а периодическое накопление и сброс тепловой энергии позволяет реализовывать энергетически выгодные многоимпульсные схемы выведения космических аппаратов с низких орбит на высокие орбиты.

Наиболее приемлемым материалом для изготовления ТА является графит, обладающий уникальным набором свойств: отсутствием фазовых и аллотропических переходов, высокой удельной теплоемкостью и теплопроводностью, низким коэффициентом линейного термического расширения, достаточной прочностью. Кроме того, графит хорошо изучен, и технологии изготовления из него различных изделий отработаны.

В условиях, характерных для работы ТА (температура 1000-2000 К, давление 1,0-2,0 МПа), начинается химическое взаимодействие графита с водородом, сопровождаемое его постепенным уносом. Такой унос приводит, во-первых, к изменению геометрии проточной части, что может ухудшить тепловые характеристики ТА, и, во-вторых, к возможности осаждения графита на элементах двигателя, в частности, на форсунках подачи компонентов в камеру сгорания, что может оказаться причиной аварийной ситуации.

Предположения и допущения

При рассмотрении процессов взаимодействия водорода с графитом в проточной части теплового аккумулятора принимаются следующие предположения и допущения.

1. Химические реакции между графитом и водородом носят гетерогенный характер, то есть углерод соединяется с водородом непосредственно в твердой фазе, минуя этап сублимации [2]. В этом случае реакции между графитом и водородом проходят через несколько последовательных стадий. Вначале атомы и молекулы водорода диффундируют через пограничный слой к поверхности графита. После этого они адсорбируются поверхностью графита с образованием химических связей (хемосорбция). Затем происходит уход (десорбция) продуктов реакции с поверхности графита. И, наконец, продукты реакции диффундируют через пограничный слой в поток водорода.

2. Рассматривается установившийся режим уноса графита.

3. Температура водорода равна температуре графита. Это допущение связано с тем, что в проточной части теплового аккумулятора реализуется ламинарный режим течения водорода с низкими скоростями. При этом температурный напор между водородом и графитовой стенкой, за исключением короткой входной зоны, составляет не более 20-30 К [3].

4. Реагирующий газ представляет собой молекулярный водород, доля атомарного водорода пренебрежимо мала. Это предположение подтверждается данными термодинамического расчета, который показывает, что при температурах 1000-2000 К и давлениях 1,0-2,0 МПа массовое содержание атомарного водорода не превышает 0,1%.

5. Рассматривается идеальная модель кристаллической решетки графита. Согласно этой модели [4] кристаллическая решетка графита состоит из параллельных слоев (базисных плоскостей), образованных правильными шестиугольниками из атомов углерода; минимальное расстояние между атомами в слое 0,142 нм. Углеродные атомы каждого слоя расположены против центров шестиугольников, находящихся в соседних слоях (нижнем и верхнем); положение слоев повторяется через один. Внутри слоя связи между атомами ковалентные (о-связи), образованы sp2-гибридными орбиталями трех электронов каждого атома углерода. Электронное облако четвертого электрона, не участвующего в sp-гибридизации, ориентировано перпендикулярно плоскости слоя и, пе-рекрываясь с облаками атомов соседних слоев, образует непрочные делокализованные п-связи, которые могут быть атакованы водородом. Считается, что реакционной способностью могут обладать все атомы наружной поверхности графита.

6. На поверхности графита существует неподвижная газовая пленка. Конвективная часть массопе-реноса учитывается условной толщиной этой пленки. Считается, что в объеме пристеночной пленки реакции не идут и коэффициенты диффузии постоянны. За толщину пристеночной пленки принимается толщина динамического ламинарного пограничного слоя, которая может быть оценена на основе теории пограничного слоя без привлечения детальной химической кинетики процессов.

7. Химические реакции взаимодействия водорода с графитом цепного характера. Рассматриваются элементарные химические реакции, для которых возможен теоретический расчет скоростей.

Уравнения, описывающие процессы взаимодействия водорода с графитом

С учетом приведенных выше предположений и допущений схема химических реакций водорода с графитом может быть записана следующей системой уравнений:

1) реакция хемосорбции водорода на поверхности графита, сопровождающаяся диссоциацией молекул водорода на атомы

Cs + H2 g ^(CH) + H E

2) реакция хемосорбции атомов водорода на поверхности графита

International Scientific Journal for Alternative Energy and Ecology № 7 (63) 2008

© Scientific Technical Centre «TATA», 2008

3) реакция десорбции продуктов реакции с поверхности графита

4) реакция диссоциации продуктов реакции с образованием исходных веществ

где В, [С,], Wi — соответственно коэффициенты диффузии, концентрация в газовой фазе и скорость образования в химических реакциях ,-го компонента смеси.

С учетом приведенных выше допущений уравнение (2) может быть переписано в виде:

0 = К • ([С] — [(CH)]) • [H2]w + K • ([C] — [(CH)]) • [H]w —(К3 + K4) • [(CH)] + K5 • ([C] — [(CH)]) • [CH]W ; (5.2)

— Дт[H]w = К • ([С] — [(CH)]) ^ -o

-K • ([C] — [(CH)]) • [H2]w — K4 •[(CH)]; (5.3)

5) реакция хемосорбции продуктов реакции на поверхности графита

В уравнениях (1.1)-(1.5) К1 — К5 — константы скорости соответствующих реакций; индекс 5 относится к твердой фазе, а индекс g — к газообразной. В скобках обозначены поверхностные (хемосорбированные) комплексы.

Для каждого из веществ, участвующих в реакции, может быть записано уравнение сохранения массы в форме баланса скоростей появления и отвода вещества на поверхности графита:

где 5 — условная толщина пристеночной пленки; [С]_-концентрация 1-го компонента в исходной смеси; [С,] у — концентрация ,-го компонента у стенки.

Из системы (1.1)-(1.5) видно, что скорость перехода углерода из твердой фазы в газообразную определяется разностью скоростей реакций (1.3) и (1.5):

Wc = К3 • [(СН)] — К5 • ([С] — [(СН)]) • [СН]^, (4)

где [С] и [(СН)] — соответственно поверхностные концентрации атомов графита и хемосорбированных комплексов на поверхности графита. Разность [С] -[(СН)] представляет собой концентрацию свободных атомов на поверхности графита, не связанных в хе-мосорбированные комплексы.

Для определения скорости уноса графита необходимо выразить неизвестные концентрации [(СН)] и [СН]у через концентрации [С,-]_. Будем рассматривать взаимодействие графита с потоком чистого молекулярного водорода, т.е. [СН]_ = 0 и [Н]_ = 0. В этом случае уравнение (3) для системы (1.1)-(1.5) записывается в виде: В Н

([Н2к — [Н2]у) = К, • ([С] — [(СН)] • [Н2]у; (5.1)

= К5 • ([С] — [(СН)]) • [СН]^ — Кз •[(СН)]. (5.4)

Если известны все коэффициенты диффузии В, константы скоростей реакции К,, концентрация атомов углерода [С] на поверхности графита, концентрация водорода в невозмущенном потоке [Н2]_, то из системы уравнений (5.1)-(5.4) получим систему нелинейных алгебраических уравнений относительно четырех неизвестных концентраций [Н2]у, [Н]у, [(СН)] и [СН]у

(К • ([С] — [(СН)]) + ВН^)[Н2]у = ^ЧНк ; (6.1)

К • ([С] — [(СН)]) • [Н2 ]у + К2 • ([С] — [(СН)]) • [Н]^ —(Кз + К4 ) • [(СН)] + К5 • ([С] — [(СН)]) -[СН]у = 0 ;(6.2)

+(К2 • ([С] — [(СН)]) + ^ • [Н]у — К4 • [(СН)] = 0; (6.3) о

-К3[(СН)] + (К5 ([С] — [(СН)]) + ВСН)[СН]у = 0. (6.4)

Из уравнений (4) и (5.4) можно получить выражение для скорости перехода углерода из твердой фазы в газообразную, которое зависит только от одной неизвестной концентрации [(СН)]:

Скорость уноса графита, рассчитанная по формуле (7), имеет размерность [(Атомы С)/м2с]. Пересчет в массовую скорость уноса может быть выполнен по формуле:

Шс [г/м2с] = 2 • 10-23 • Шс [Атомы С/м2с]. (8)

Концентрация водорода [Н2]_ при заданных давлении р и температуре Т определяется по формуле

где кв =1,3810 Дж/К — постоянная Больцмана.

Для принятой выше модели кристаллической решетки графита поверхностная концентрация атомов углерода составляет [С] « 3,08-1019 м-2.

Оценка констант скоростей реакции может быть выполнена на основе метода Эйринга [5]. При вычислении констант скоростей реакции предполагается существование переходного (активированного) комплек-

са — неустойчивой молекулы, которая с равной вероятностью может перейти как в продукты реакции, так и в исходные продукты. Предполагается, что между реагентами и активированным комплексом существует квазиравновесие и реакция представляет собой мономолекулярный распад активированного комплекса. Константу скорости такой мономолекулярной реакции рассчитывают методами статистической термодинамики, представляя распад как одномерное поступательное движение комплекса по координате реакции.

При таком подходе константы скоростей гетерогенных реакций могут быть рассчитаны по формулам: — для реакций одноатомной газовой молекулы

для реакций двухатомной газовой молекулы

п* 8п2 J (2пМквТ )3

Константа скорости реакции мономолекулярного распада (реакции типа АВ^-А+В, когда активированный комплекс представляет собой возбужденную молекулу реагента) при достаточно высоких температурах может быть рассчитана по формуле

Константа скорости десорбции может быть рас-

считана по формуле

Тепловой эффект реакции Ад определяется алгебраической суммой энергий рвущихся и образующихся связей. Энергия рвущихся связей считается отрицательной, а энергия образующихся — положительной. При больших тепловых эффектах энергия активации не становится отрицательной, а приближается к нулю, оставаясь положительной.

Величина коэффициентов диффузии зависит от состава газовой смеси, в которой происходит диффузия, от давления и от температуры. Для индивидуального газа коэффициент диффузии (самодиффузии) может быть приближенно рассчитан на основании положений молекулярно-кинетической теории по формуле

где р — давление, Па; т — масса молекулы, кг; а -эффективный диаметр молекулы, м.

Для определения коэффициента диффузии 1-го компонента в смеси газов можно воспользоваться уравнением Стефана-Максвелла:

где аср — ^ х;а;, тср — ^ х;т; . Здесь X; — относительная концентрация компонента в смеси.

В формулах (10.1)-(10.4): И = 6,63-10-34 Дж-с — постоянная Планка; ^ = 6,02-1026 1/кмоль — число Аво-гадро; кв = 1,38-10-23 Дж/К — постоянная Больцмана; Я = 8,314 Дж/моль-К — универсальная газовая постоянная; Т — абсолютная температура, К; М — молекулярная масса вещества, кг/кмоль; J — момент инер-2 1—’

ции молекулы, кг-м ; Е0 — энергия активации реакции, Дж/моль; о и о* — соответственно числа симметрии молекулы и активированного комплекса, показывающие число неразличимых ориентаций молекулы и активированного комплекса; vmax — частота колебаний, приводящая к разрыву связи в молекуле; для большинства мономолекулярных реакций с образованием атомов или радикалов можно принять

Vmax « 21013 с-1 [6].

Энергия активации Е0 в формулах (10.1-10.4) может быть определена с использованием соотношений [6]:

— для экзотермических реакций

Е0 = 48200-0,25-Ад; (11.1)

— для эндотермических реакций

Е0 = 48200+0,75-|Ад|, (11.2)

где Ад — тепловой эффект реакции, Дж/моль.

Используя данные по энергиям связей и по характеристикам молекул 8, в соответствии с формулами (10.1)-(10.4), (11.1), (11.2), (12) и (13) получим следующие выражения для констант скоростей химических реакций:

Уравнения химических реакций взаимодействия водорода : а)с серой ; б)с хлором ; в)с азотом ; г)с углеродом?

Химия | 5 — 9 классы

Уравнения химических реакций взаимодействия водорода : а)с серой ; б)с хлором ; в)с азотом ; г)с углеродом.

Условия протекания реакций.

A) H2 + S = H2S — сероводород

б) H2 + CL2 = HCl — соляная кислота (хлороводород)

в) H2 + N = NH3 — аммиак (не совсем уверена в этой реакции)

г) 2H2 + C = CH4 (взаимодействует с сажей при нагревании).

Помогите сделать уравнения химических реакций, пожалуйста?

Помогите сделать уравнения химических реакций, пожалуйста.

1. хлора с водородом

Азота с натрием

Водорода с углеродом

Кислорода с калием.

Напишите уравнение реакции между серой и водородом?

Напишите уравнение реакции между серой и водородом.

Укажите при каких условиях эту реакцию можно осуществить.

Какой вид химической связи в молекуле сероводорода?

Напишите уравнения химических реакций, с помощью которых можно получить хлорид аммония, исходя из водорода, хлора и азота?

Напишите уравнения химических реакций, с помощью которых можно получить хлорид аммония, исходя из водорода, хлора и азота.

Помогите сделать уравнения химических реакций, пожалуйста?

Помогите сделать уравнения химических реакций, пожалуйста.

1) бром с водородом

2) сера с натрием

3) углерод с хлором

4) магния с озотом.

№1 Составьте уравнения химических реакций между а)серой и хлором б)углеродом и серой?

№1 Составьте уравнения химических реакций между а)серой и хлором б)углеродом и серой.

Химическая реакция, признаки, условия их протекания?

Химическая реакция, признаки, условия их протекания.

Экзотермические и эндотермические реакции.

Закон сохранения массы вещества.

Составить уравнения хим?

Составить уравнения хим.

Реакций водорода : — с кислородом и хлором (Сl2) ; — с оксидом никеля ; — с серой и азотом ; — с оксидом железа.

Напишите уравнения химических реакций, соответствующих схеме, и укажите условия их протекания ?

Напишите уравнения химических реакций, соответствующих схеме, и укажите условия их протекания :

Задача : Напишите уравнения реакций : — магния с азотом — железа с хлором — натрия с серой — кальция с водородом?

Задача : Напишите уравнения реакций : — магния с азотом — железа с хлором — натрия с серой — кальция с водородом.

Составить химические уравнения кальция с кислородом, водородом, азотом, хлором, серой?

Составить химические уравнения кальция с кислородом, водородом, азотом, хлором, серой.

На этой странице находится вопрос Уравнения химических реакций взаимодействия водорода : а)с серой ; б)с хлором ; в)с азотом ; г)с углеродом?, относящийся к категории Химия. По уровню сложности данный вопрос соответствует знаниям учащихся 5 — 9 классов. Здесь вы найдете правильный ответ, сможете обсудить и сверить свой вариант ответа с мнениями пользователями сайта. С помощью автоматического поиска на этой же странице можно найти похожие вопросы и ответы на них в категории Химия. Если ответы вызывают сомнение, сформулируйте вопрос иначе. Для этого нажмите кнопку вверху.

Аллотропия это явление существование нескольких простых вещест, которые были образованы от одного химического элемента, например, кислород имеет две основные аллотропные модификации — газ кислород (О2) и газ озон (О3).

N(Cl2O7) = 2моль Найти : N(Cl2O7) Решение : N = 6. 02 * 10 ^ 23моль * 2моль N = 12. 04.

C6H14 + H2 = C6H16. Всё очень просто.

Это обозначение электронных уровней. Цифры под ними — количество электронов. Все вместе называется «схема строения электронной оболочки элемента». Количество электронных уровней определяется по номеру периода. Для того же алюминия : Электронная ф..

А) Zn + Cl₂ = ZnCl₂ цинк и хлор простые вещества, поэтому их степень окисления равна нулю, в хлориде цинка у цинка степень окисления стала + 2, а у хлора — ( — 1), т. Е. у цинка степень окисления повышается с 0 до + 2, а у хлора понижается с 0 до ( ..